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IRFHE4250DTRPBF
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 25 V, 25 V, 303 A, 303 A, 700 µohm
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFHE4250DTRPBF복사
주문 코드
리릴링2577175RL
컷 테이프2577175
Product RangeFastIRFET HEXFET Series
AKASP001564116
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더 이상 제조되지 않음
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFHE4250DTRPBF복사
주문 코드
리릴링2577175RL
컷 테이프2577175
Product RangeFastIRFET HEXFET Series
AKASP001564116
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel303A
Continuous Drain Current Id P Channel303A
Transistor Case StylePQFN
No. of Pins32Pins
Power Dissipation N Channel156W
Power Dissipation P Channel156W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFastIRFET HEXFET Series
Qualification-
기술 사양
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
303A
Transistor Case Style
PQFN
Power Dissipation N Channel
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
303A
No. of Pins
32Pins
Power Dissipation P Channel
156W
Product Range
FastIRFET HEXFET Series
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001