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IXKN75N60C
MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 600 V, 0.03 ohm, 10 V, 3.9 V, SOT-227B
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더 이상 재고 없음
제품 정보
제조업체 부품 번호IXKN75N60C
주문 코드3438400
Product RangeCoolMOS Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source Voltage Vds600V
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.9V
Power Dissipation560W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS Series
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
제품 개요
IXKN75N60C is a CoolMOS™ power MOSFET. Typical applications are switched mode power supplies (SMPS), uninterruptible power supplies (UPS), power factor correction (PFC), welding, inductive heating.
- N-channel enhancement mode, low RDSon, high VDSS
- MiniBLOC package, electrically isolated copper base
- Low coupling capacitance to the heatsink for reduced EMI
- High power dissipation due to AlN ceramic substrate
- International standard package SOT-227, easy screw assembly
- High blocking capability, low on resistance
- Avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)
- Low thermal resistance due to reduced chip thickness, enhanced total power density
- Voltage rating VDSS is 600V at TVJ = 25°C to 150°C, current rating ID25 is 75A at TC = 25°C
- Resistor RDS(on) is 36mohm at VGS = 10V, ID = ID90
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
560W
Product Range
CoolMOS Series
Continuous Drain Current Id
75A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3.9V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004