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LND150K1-G
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Surface Mount
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| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩721 | ₩721 |
| 총계 가격 | ₩721 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩721 |
| 25+ | ₩605 |
| 100+ | ₩574 |
| 3000+ | ₩568 |
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제품 정보
제조업체MICROCHIP
제조업체 부품 번호LND150K1-G복사
제조업체 표준 리드 타임14주
주문 코드
리릴링2450520RL
컷 테이프2450520
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id13mA
Drain Source On State Resistance1000ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
The LND150K1-G is a N-channel depletion-mode DMOS FET utilizing Supertex's lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. It is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
- Free from secondary breakdown
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- High input impedance and low CISS
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13mA
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
1000ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000006