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DMN62D1LFB-7B
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 407 mA, 1.3 ohm, X1-DFN1006, Surface Mount
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제조업체 표준 리드 타임: 43주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩910 | ₩4,550 |
| 총계 가격 | ₩4,550 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩910 |
| 10+ | ₩562 |
| 100+ | ₩353 |
| 500+ | ₩263 |
| 1000+ | ₩209 |
| 5000+ | ₩205 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN62D1LFB-7B복사
제조업체 표준 리드 타임43주
주문 코드
리릴링3943663RL
컷 테이프3943663
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id407mA
Drain Source On State Resistance1.3ohm
Transistor Case StyleX1-DFN1006
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
407mA
Transistor Case Style
X1-DFN1006
Rds(on) Test Voltage
4V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001