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SIR124DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 56.8 A, 8400 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIR124DP-T1-RE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링3019110RL
컷 테이프3019110
Product RangeTrenchFET Gen IV
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제조업체 표준 리드 타임: 56주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩2,759 | ₩2,759 |
| 총계 가격 | ₩2,759 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,759 |
| 10+ | ₩1,734 |
| 100+ | ₩1,172 |
| 500+ | ₩1,130 |
| 1000+ | ₩1,088 |
| 5000+ | ₩1,046 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIR124DP-T1-RE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링3019110RL
컷 테이프3019110
Product RangeTrenchFET Gen IV
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id56.8A
Drain Source On State Resistance8400µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
56.8A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
8400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001