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IRFP4232PBF
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 60 A, 0.0357 ohm, TO-247AC, Through Hole
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호IRFP4232PBF복사
주문 코드1611482
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0357ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation430W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The IRFP4232PBF is a 250V single N-channel HEXFET® Power MOSFET PDP switch designed to sustain, energy recovery and pass switch applications for plasma display panels. By adapting the latest techniques it achieves low on-resistance per silicon area and EPULSE rating.
- 175°C Operating temperature
- Low QG for fast response
- High repetitive peak current capability for reliable operation
- Short fall and rise times for fast switching
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
430W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.0357ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00567