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FQT1N80TF-WS
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,585 |
| 10+ | ₩1,640 |
| 100+ | ₩1,088 |
| 500+ | ₩1,067 |
| 1000+ | ₩1,045 |
| 5000+ | ₩1,023 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FQT1N80TF-WS복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드2453913
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance15.5ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation2.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The FQT1N80TF_WS is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low gate charge (5.5nC)
- Low Crss (2.7pF)
- 100% avalanche tested
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
15.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000454