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SI4421DY-T1-GE3
Power MOSFET, TrenchFET, P Channel, 20 V, 10 A, 8750 µohm, NSOIC, Surface Mount
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제조업체 표준 리드 타임: 22주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩5,390 | ₩5,390 |
| 총계 가격 | ₩5,390 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩5,390 |
| 10+ | ₩3,515 |
| 100+ | ₩2,443 |
| 500+ | ₩1,987 |
| 1000+ | ₩1,813 |
| 5000+ | ₩1,777 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI4421DY-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드
리릴링2547301RL
컷 테이프2547301
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance8750µohm
Transistor Case StyleNSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation1.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
The SI4421DY-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Industrial, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
NSOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
8750µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00026