페이지 인쇄
IXTA1N200P3HV
Power MOSFET, N Channel, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
7,535 재고
45 지금 제품을 예약하실 수 있습니다
20 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
7,515 6-8 영업일 이내 배송(미국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩18,121 |
| 5+ | ₩15,711 |
| 10+ | ₩13,300 |
| 50+ | ₩12,024 |
| 100+ | ₩10,747 |
| 250+ | ₩10,533 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩18,121
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXTA1N200P3HV복사
제조업체 표준 리드 타임35주
주문 코드4060233
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds2kV
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance40ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
2kV
Drain Source On State Resistance
40ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00205