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IRFBG20PBF-BE3
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.4 A, 11 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,761 |
| 10+ | ₩1,761 |
| 100+ | ₩1,512 |
| 500+ | ₩1,215 |
| 1000+ | ₩1,103 |
| 5000+ | ₩1,043 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호IRFBG20PBF-BE3복사
주문 코드4853589
Product RangeIRFBG20 Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance11ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation54W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeIRFBG20 Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
54W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
11ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
IRFBG20 Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.015