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FZ1200R12HE4HOSA2
IGBT Module, Dual, 1.825 kA, 1.75 V, 7.15 kW, 150 °C, Module
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제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호FZ1200R12HE4HOSA2복사
제조업체 표준 리드 타임16주
주문 코드3703581
AKAFZ1200R12HE4, SP001172140
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호FZ1200R12HE4HOSA2복사
제조업체 표준 리드 타임16주
주문 코드3703581
AKAFZ1200R12HE4, SP001172140
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current1.825kA
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation7.15kW
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
IGBT Configuration
Dual
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Continuous Collector Current
1.825kA
Power Dissipation
7.15kW
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Hungary
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Hungary
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.25