페이지 인쇄
RJH60F5DPQ-A0#T0
IGBT, 80 A, 1.7 V, 260.4 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 재고 없음
제품 정보
제조업체RENESAS
제조업체 부품 번호RJH60F5DPQ-A0#T0복사
주문 코드2135155
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation260.4W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
제품 개요
The RJH60F5DPQ-A0#T0 is a 40A 600V IGBT through-hole 1-channel mounting high-speed Power Switching with low collector to emitter saturation voltage. It has trench gate and thin wafer technology.
- Built-in FRD configuration
애플리케이션
Consumer Electronics
기술 사양
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
260.4W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
관련 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00614