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MJ11012
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-3
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체SOLID STATE
제조업체 부품 번호MJ11012복사
주문 코드1713168
기술 데이터 시트
Collector Emitter Voltage V(br)ceo60V
Collector Emitter Voltage Max60V
Power Dissipation Pd200W
Continuous Collector Current30A
DC Collector Current30A
Power Dissipation200W
Transistor Case StyleTO-3
RF Transistor CaseTO-3
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCTo Be Advised
기술 사양
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
60V
Power Dissipation Pd
200W
DC Collector Current
30A
Transistor Case Style
TO-3
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE
200hFE
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
60V
Continuous Collector Current
30A
Power Dissipation
200W
RF Transistor Case
TO-3
No. of Pins
2Pins
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.012247