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UJ4SC075008L8S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 750 V, 8.6 mohm, MO-299
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호UJ4SC075008L8S복사
제조업체 표준 리드 타임28주
주문 코드4221986
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id106A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance8.6mohm
Transistor Case StyleMO-299
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
106A
Drain Source On State Resistance
8.6mohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
MO-299
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001