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NVH4L030N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.0285 ohm, TO-247
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제조업체 표준 리드 타임: 1주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩33,605 |
| 5+ | ₩29,475 |
| 10+ | ₩25,575 |
| 50+ | ₩24,205 |
| 100+ | ₩23,302 |
| 250+ | ₩22,816 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVH4L030N120M3S복사
제조업체 표준 리드 타임1주
주문 코드4143112
기술 데이터 시트
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0285ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.13V
Power Dissipation308W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0285ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.13V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
308W
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00831