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CY7C1041G30-10BVXI
SRAM, Asynchronous SRAM, 4 Mbit, 256K x 16bit, VFBGA, 48 Pins, 2.2 V
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩14,133 |
| 10+ | ₩12,366 |
| 25+ | ₩10,246 |
| 50+ | ₩9,186 |
| 100+ | ₩8,480 |
| 250+ | ₩7,914 |
| 500+ | ₩7,580 |
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호CY7C1041G30-10BVXI
주문 코드3018590
AKASP005647901, CY7C1041G30-10BVXI
기술 데이터 시트
SRAM TypeAsynchronous SRAM
Memory Density4Mbit
Memory Configuration256K x 16bit
IC Case / PackageVFBGA
No. of Pins48Pins
Supply Voltage Min2.2V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
Clock Frequency Max-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
제품 개요
CY7C1041G30-10BVXI is a high-performance CMOS fast static RAM device with embedded ECC.
- 2.2V to 3.6V voltage rating
- 10ns high speed
- 1V data retention
- TTL-compatible inputs and outputs
- 4Mbit density and 256K x 16 organization (X x Y)
- Operating temperature range from -40°C to 85°C
- 48-ball VFBGA (6 x 8 x 1.0mm)
기술 사양
SRAM Type
Asynchronous SRAM
Memory Configuration
256K x 16bit
No. of Pins
48Pins
Supply Voltage Max
3.6V
Clock Frequency Max
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Memory Density
4Mbit
IC Case / Package
VFBGA
Supply Voltage Min
2.2V
Supply Voltage Nom
3V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001