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2N7002DW-7-F
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호2N7002DW-7-F
주문 코드1713824
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel115mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel13.5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel200mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The 2N7002DW-7-F is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET been designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance. It is ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching performance
- Low input/output leakage
- Ultra-small surface-mount package
- Halogen-free
- UL94V-0 Flammability rating
애플리케이션
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
115mA
Drain Source On State Resistance N Channel
13.5ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
2N7002DW-7-F의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000006