페이지 인쇄
2N7002K-7
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호2N7002K-7
주문 코드1713825
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id380mA
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation370mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The 2N7002K-7 is an N-channel Enhancement Mode MOSFET designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It features molded green plastic case, matte tin annealed over alloy 42 terminals and solderable lead frame per MIL-STD-202 standards.
- UL94V-0 Flammability rating
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- ESD protected up to 2kV
- Halogen-free
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
380mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
370mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
2N7002K-7의 대체 제품
8개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000008