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BS250P
Power MOSFET, P Channel, 45 V, 230 mA, 14 ohm, E-Line, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,244 |
| 50+ | ₩837 |
| 250+ | ₩670 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호BS250P
주문 코드3405170
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id230mA
Drain Source On State Resistance14ohm
Transistor Case StyleE-Line
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
BS250P is a P-channel enhancement mode vertical DMOS FET.
- Drain-source breakdown voltage is -45V at ID=-100µA, VGS=0V, TA=+25°C
- Gate-source threshold voltage is -3.5V at ID=-1mA, VDS=VGS, TA=+25°C
- Zero gate voltage drain current is -500nA max VGS=0V, VDS=-25V, TA=+25°C
- Static drain-source on-state resistance is 14ohm max at VGS=-10V, ID=-200mA, TA=+25°C
- Forward transconductance is 150ms typ at VDS=-10V, ID=-200mA, TA=+25°C
- Input capacitance is 60pF typ at VGS=0V, VDS=-10V, f=1.0MHz, TA=+25°C
- Turn-on/off time is 20ns max at VDD=-25V, ID=-500mA, TA=+25°C
- Power dissipation at TA=+25°C is 700mW
- E-Line package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
230mA
Transistor Case Style
E-Line
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
14ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0002