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BSS123-7-F
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호BSS123-7-F
주문 코드1843725
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id170mA
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The BSS123-7-F is a N-channel Enhancement Mode MOSFET uses diodes proprietary, high density and uses advanced trench technology. Matte tin finish annealed over alloy 42 lead frame terminals and UL94V-0 flame-rated moulded plastic case. Designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. Suitable for low voltage and current applications.
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- AEC-Q101 Qualified
- Low input/output leakage
- High drain source voltage rating
- Level-1 per J-STD-020 moisture sensitivity
- Green product
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000008