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DMC1030UFDB-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,853 | ₩9,265 |
| 총계 가격 | ₩9,265 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,853 |
| 10+ | ₩1,123 |
| 100+ | ₩960 |
| 500+ | ₩595 |
| 1000+ | ₩324 |
| 5000+ | ₩318 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMC1030UFDB-7복사
제조업체 표준 리드 타임43주
주문 코드
리릴링3680108RL
컷 테이프3680108
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel5.1A
Continuous Drain Current Id P Channel5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.034ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.059ohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.36W
Power Dissipation P Channel1.36W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.059ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.36W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.034ohm
Transistor Case Style
U-DFN2020
Power Dissipation N Channel
1.36W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000121