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DMC3025LSD-13
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.02 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMC3025LSD-13
주문 코드3944041RL
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id6.5A
Continuous Drain Current Id N Channel6.5A
On Resistance Rds(on)0.015ohm
Continuous Drain Current Id P Channel6.5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.02ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.045ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.5W
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.5A
Continuous Drain Current Id P Channel
6.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.02ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
6.5A
On Resistance Rds(on)
0.015ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.045ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001