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DMG1013T-7
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 460 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Surface Mount
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|---|---|
| 5+ | ₩211 |
| 50+ | ₩183 |
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| 500+ | ₩156 |
| 1500+ | ₩153 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMG1013T-7복사
제조업체 표준 리드 타임43주
주문 코드
컷 테이프2543525
컷 테이프2543525RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id460mA
Drain Source On State Resistance0.7ohm
Transistor Case StyleSOT-523
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation270mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Suitable for DC/DC converters, load switch and power management function
- Low On-Resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input / output leakage
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
460mA
Transistor Case Style
SOT-523
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
270mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.7ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.005