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DMG2307L
Power MOSFET, Enhancement Mode, P Channel, 30 V, 4.6 A, 0.09 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMG2307L
주문 코드2061518
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4.6A
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation760mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The DMG2307L is a P-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Halogen-free, Green device
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
애플리케이션
Power Management, Aerospace, Defence, Military, Portable Devices
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
760mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000008