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DMG4800LSD-13
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,296 | ₩6,480 |
| 총계 가격 | ₩6,480 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,296 |
| 50+ | ₩1,052 |
| 100+ | ₩808 |
| 500+ | ₩557 |
| 1000+ | ₩469 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMG4800LSD-13복사
제조업체 표준 리드 타임43주
주문 코드
리릴링2543513RL
컷 테이프2543513
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel7.5A
Continuous Drain Current Id P Channel7.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.012ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.012ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
7.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.012ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
7.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.012ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00012