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DMG6602SVT-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩413 | ₩2,065 |
| 총계 가격 | ₩2,065 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩413 |
| 50+ | ₩320 |
| 100+ | ₩226 |
| 500+ | ₩152 |
| 1500+ | ₩149 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩137 |
| 9000+ | ₩118 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMG6602SVT-7복사
주문 코드
풀릴3127557
리릴링3127319RL
컷 테이프3127319
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.038ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.038ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel840mW
Power Dissipation P Channel840mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.038ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
840mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.038ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
840mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000121