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DMG8601UFG-7
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩1,066 | ₩1,066 |
| 총계 가격 | ₩1,066 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,066 |
| 10+ | ₩659 |
| 100+ | ₩429 |
| 500+ | ₩328 |
| 1000+ | ₩316 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMG8601UFG-7복사
제조업체 표준 리드 타임14주
주문 코드
리릴링3944072RL
컷 테이프3944072
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel6.1A
Continuous Drain Current Id P Channel6.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.023ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleU-DFN3030
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel920mW
Power Dissipation P Channel920mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
920mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.023ohm
Transistor Case Style
U-DFN3030
Power Dissipation N Channel
920mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001