페이지 인쇄
DMN2008LFU-7
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 14.5 A, 14.5 A, 0.0054 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
주문 가능
입고 시 알림 요청
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩1,616 | ₩1,616 |
| 총계 가격 | ₩1,616 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,616 |
| 10+ | ₩873 |
| 100+ | ₩643 |
| 500+ | ₩520 |
| 1000+ | ₩398 |
| 5000+ | ₩391 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN2008LFU-7복사
제조업체 표준 리드 타임15주
주문 코드
리릴링3944090RL
컷 테이프3944090
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel14.5A
Continuous Drain Current Id P Channel14.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0054ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleU-DFN2030
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.7W
Power Dissipation P Channel1.7W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
14.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.7W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
14.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0054ohm
Transistor Case Style
U-DFN2030
Power Dissipation N Channel
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001