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DMN2013UFDE-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩1,641 | ₩1,641 |
| 총계 가격 | ₩1,641 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,641 |
| 10+ | ₩1,172 |
| 100+ | ₩931 |
| 500+ | ₩579 |
| 1000+ | ₩487 |
| 5000+ | ₩346 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN2013UFDE-7복사
제조업체 표준 리드 타임42주
주문 코드
리릴링3680120RL
컷 테이프3680120
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id10.5A
Drain Source On State Resistance8400µohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation2.03W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.5A
Transistor Case Style
U-DFN2020
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.03W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
8400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000121