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DMN2014LHAB-13
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 9.3 A, 9.3 A, 0.01 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN2014LHAB-13
주문 코드3828403
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel9.3A
Continuous Drain Current Id P Channel9.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.01ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.01ohm
Transistor Case StyleU-DFN2030
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.7W
Power Dissipation P Channel1.7W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
9.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.01ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.7W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
9.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.01ohm
Transistor Case Style
U-DFN2030
Power Dissipation N Channel
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001