페이지 인쇄
DMN2019UTS-13
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0185 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
1,120 재고
더 필요하세요?
1,120 8-9 영업일 이내 배송(영국 재고)
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,095 | ₩5,475 |
| 총계 가격 | ₩5,475 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,095 |
| 10+ | ₩496 |
| 100+ | ₩437 |
| 500+ | ₩349 |
| 1000+ | ₩261 |
| 5000+ | ₩227 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN2019UTS-13복사
제조업체 표준 리드 타임43주
주문 코드
리릴링3944092RL
컷 테이프3944092
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel5.4A
Continuous Drain Current Id P Channel5.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0185ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleTSSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel780mW
Power Dissipation P Channel780mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
780mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0185ohm
Transistor Case Style
TSSOP
Power Dissipation N Channel
780mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001