페이지 인쇄
DMN2029USD-13
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.025 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
357 재고
더 필요하세요?
357 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,326 | ₩6,630 |
| 총계 가격 | ₩6,630 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,326 |
| 10+ | ₩818 |
| 100+ | ₩526 |
| 500+ | ₩401 |
| 1000+ | ₩312 |
| 5000+ | ₩272 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN2029USD-13복사
주문 코드
리릴링3944094RL
컷 테이프3944094
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel5.8A
Continuous Drain Current Id P Channel5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.025ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.2W
Power Dissipation P Channel1.2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.2W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.025ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001