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DMN2029USD-13
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.025 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN2029USD-13
주문 코드3944094RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id5.8A
Continuous Drain Current Id N Channel5.8A
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Continuous Drain Current Id P Channel5.8A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.025ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation Pd1.2W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.2W
Power Dissipation P Channel1.2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.8A
Continuous Drain Current Id P Channel
5.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.025ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
5.8A
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
1.2W
Power Dissipation N Channel
1.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001