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DMN2050LFDB-7
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN2050LFDB-7
주문 코드3944096RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id4.5A
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.045ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleUDFN2020
Gate Source Threshold Voltage Max1V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd1.42W
Power Dissipation N Channel1.42W
Power Dissipation P Channel1.42W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.045ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
1.42W
Power Dissipation P Channel
1.42W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
4.5A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
UDFN2020
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
1.42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001