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DMN3016LFDE-13
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Surface Mount
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제조업체 표준 리드 타임: 42주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 리릴링 | 5 | ₩1,815 | ₩9,075 |
| 총계 가격 | ₩9,075 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,815 |
| 10+ | ₩1,259 |
| 100+ | ₩797 |
| 500+ | ₩493 |
| 1000+ | ₩484 |
| 5000+ | ₩474 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN3016LFDE-13복사
제조업체 표준 리드 타임42주
주문 코드
리릴링3943575RL
컷 테이프3943575
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation730mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
U-DFN2020
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
730mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001