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DMN3035LWN-7
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.035 ohm
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩975 | ₩4,875 |
| 총계 가격 | ₩4,875 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩975 |
| 10+ | ₩608 |
| 100+ | ₩392 |
| 500+ | ₩299 |
| 1000+ | ₩266 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN3035LWN-7복사
제조업체 표준 리드 타임43주
주문 코드
리릴링3944106RL
컷 테이프3944106
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel5.5A
Continuous Drain Current Id P Channel5.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.035ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleV-DFN3020
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.78W
Power Dissipation P Channel1.78W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.78W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.035ohm
Transistor Case Style
V-DFN3020
Power Dissipation N Channel
1.78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001