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DMN5L06DMKQ-7
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
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더 이상 제조되지 않음
포장 옵션
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN5L06DMKQ-7복사
주문 코드
리릴링3944118RL
컷 테이프3944118
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Continuous Drain Current Id305mA
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
On Resistance Rds(on)2ohm
Continuous Drain Current Id N Channel305mA
Continuous Drain Current Id P Channel305mA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-26
Gate Source Threshold Voltage Max1V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd400mW
Power Dissipation N Channel400mW
Power Dissipation P Channel400mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Continuous Drain Current Id
305mA
On Resistance Rds(on)
2ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
305mA
Rds(on) Test Voltage
5V
Transistor Case Style
SOT-26
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
305mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
400mW
Power Dissipation P Channel
400mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001