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DMN63D8LDWQ-7
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
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주문 가능
제조업체 표준 리드 타임: 42주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩537 | ₩2,685 |
| 총계 가격 | ₩2,685 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩537 |
| 10+ | ₩330 |
| 100+ | ₩207 |
| 500+ | ₩153 |
| 1000+ | ₩115 |
| 5000+ | ₩113 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN63D8LDWQ-7복사
제조업체 표준 리드 타임42주
주문 코드
리릴링3944132RL
컷 테이프3944132
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel220mA
Drain Source On State Resistance N Channel2.8ohm
Drain Source On State Resistance P Channel2.8ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel400mW
Power Dissipation P Channel400mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
220mA
Drain Source On State Resistance P Channel
2.8ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
400mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Drain Source On State Resistance N Channel
2.8ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001