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DMP2022LSSQ-13
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 9.3 A, 8000 µohm, SOIC, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,861 |
| 10+ | ₩1,305 |
| 100+ | ₩874 |
| 500+ | ₩690 |
| 1000+ | ₩550 |
| 5000+ | ₩539 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMP2022LSSQ-13
주문 코드3943712
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id9.3A
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max770mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
9.3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
770mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000112