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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMP2120U-7
주문 코드3405186
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source On State Resistance0.062ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
DMP2120U-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include battery charging, power management functions, DC-DC converters, portable power adaptors.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±8V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -3.8A at TA = +25°C, steady state, VGS = -4.5V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -20A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.8W
- Static drain-source on-resistance is 62mohm max at VGS = -4.5V, ID = -4.2A, TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0002