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DMP2160UFDB-7
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMP2160UFDB-7
주문 코드3944145RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel3.8A
On Resistance Rds(on)0.054ohm
Continuous Drain Current Id P Channel3.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.054ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.054ohm
Transistor Case StyleUDFN2020
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation Pd1.4W
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
3.8A
Continuous Drain Current Id N Channel
3.8A
Continuous Drain Current Id P Channel
3.8A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.054ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
On Resistance Rds(on)
0.054ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.054ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
UDFN2020
Power Dissipation Pd
1.4W
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001