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VN10LF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,364 | ₩6,820 |
| 총계 가격 | ₩6,820 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,364 |
| 50+ | ₩767 |
| 100+ | ₩636 |
| 500+ | ₩582 |
| 1500+ | ₩467 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호VN10LF복사
제조업체 표준 리드 타임28주
주문 코드
리릴링9526234RL
컷 테이프9526234
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id150mA
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation330mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
VN10LF is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET.
- Drain-source voltage is 60V
- Continuous drain current at Tamb=25°C is 150mA
- Pulsed drain current is 3A
- Gate source voltage is ±20V
- Power dissipation at Tamb=25°C is 330mW
- Static drain source on state resistance is 5ohm max at VGS=10V, ID=500mA, Tamb=25°C
- Zero gate voltage drain current is 10µA max at VDS=60 V, VGS=0V, Tamb=25°C
- Turn-on/off time is 10ns maximum at VDD ≈15V, ID=600mA, Tamb=25°C
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
150mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
기술 문서 (1)
VN10LF의 대체 제품
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관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000033