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ZTX653
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 2 A, 1 W, E-Line, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,467 |
| 10+ | ₩1,136 |
| 100+ | ₩774 |
| 500+ | ₩647 |
| 1000+ | ₩557 |
| 5000+ | ₩531 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호ZTX653
주문 코드9525580
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current2A
Power Dissipation1W
Transistor Case StyleE-Line
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency175MHz
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
ZTX653 is a through hole, NPN silicon planar medium power transistor in E-line (TO-92 compatible) package.
- Collector to emitter voltage (Vce) of 100V
- Collector to base voltage of 120V
- Power dissipation (Pd) of 1W
- Continuous collector current of 2A
- Collector to emitter breakdown voltage of 100V
- Collector to emitter saturation voltage Vce(sat) of 500mV at 2A collector current
- Operating temperature range from -55°C to 200°C
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
2A
Transistor Case Style
E-Line
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
1W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
175MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0002