페이지 인쇄
ZVN2110A
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 320 mA, 4 ohm, TO-226AA, Through Hole
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
4,837 재고
더 필요하세요?
4,837 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,407 |
| 10+ | ₩1,034 |
| 100+ | ₩674 |
| 500+ | ₩550 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩1,407
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호ZVN2110A복사
주문 코드9525440
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id320mA
Drain Source On State Resistance4ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
ZVN2110A is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET.
- Drain-source voltage is 100V
- Continuous drain current at Tamb=25° is 320mA
- Pulsed drain current is 6A
- Gate source voltage is ±20V
- Power dissipation at Tamb=25°C is 700mW
- Drain-source breakdown voltage is 100V min at ID=1mA, VGS=0V, Tamb=25°C
- Static drain-source on-state resistance is 4ohm max at VGS=10V, ID=1A, Tamb=25°C
- Turn-off delay time is 13ns max at VDD ≈25V, ID=1A, Tamb=25°C
- E-Line package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
320mA
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000166