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ZXMHC10A07N8TC
Dual MOSFET, Complementary Dual N and Dual P Channel, 100 V, 100 V, 800 mA, 800 mA, 0.7 ohm
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| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩2,967 | ₩2,967 |
| 총계 가격 | ₩2,967 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,967 |
| 10+ | ₩1,439 |
| 100+ | ₩1,267 |
| 500+ | ₩1,006 |
| 1000+ | ₩999 |
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호ZXMHC10A07N8TC복사
제조업체 표준 리드 타임43주
주문 코드
리릴링3944181RL
컷 테이프3944181
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel800mA
Continuous Drain Current Id P Channel800mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.7ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel870mW
Power Dissipation P Channel870mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
800mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
870mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
800mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.7ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
870mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001