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ZXMHC6A07T8TA
Dual MOSFET, H-Bridge, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호ZXMHC6A07T8TA
주문 코드7565020RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id1.8A
Continuous Drain Current Id N Channel1.8A
On Resistance Rds(on)1.5ohm
Continuous Drain Current Id P Channel1.8A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel1.5ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel1.5ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd1.7W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.7W
Power Dissipation P Channel1.7W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The ZXMHC6A07T8TA is a 60V Enhancement Mode H-bridge MOSFET that utilizes a unique structure and combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes the MOSFET ideal for high efficiency, low voltage and power management applications.
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- UL94V-0 Flammability rating
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Aerospace, Defence, Military
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.8A
Continuous Drain Current Id P Channel
1.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
1.5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
1.5ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.7W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
1.8A
On Resistance Rds(on)
1.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
1.7W
Power Dissipation N Channel
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000454