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ZXMS6005DN8Q-13
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 0.2 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호ZXMS6005DN8Q-13
주문 코드3944193RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.8A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
On Resistance Rds(on)0.15ohm
Continuous Drain Current Id N Channel1.8A
Continuous Drain Current Id P Channel1.8A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Rds(on) Test Voltage5V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.56W
Power Dissipation N Channel1.56W
Power Dissipation P Channel1.56W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
1.8A
On Resistance Rds(on)
0.15ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
1.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.2ohm
Rds(on) Test Voltage
5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
1.56W
Power Dissipation P Channel
1.56W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.8A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
1.56W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000163