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2N5551
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Through Hole
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제조업체 표준 리드 타임: 8주
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|---|---|
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| 10+ | ₩159 |
| 100+ | ₩99 |
| 500+ | ₩73 |
| 1000+ | ₩48 |
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제품 정보
제조업체DIOTEC
제조업체 부품 번호2N5551복사
제조업체 표준 리드 타임8주
주문 코드4710238
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max160V
Continuous Collector Current600mA
Power Dissipation625mW
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min80hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
600mA
Transistor Case Style
TO-92
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max
160V
Power Dissipation
625mW
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:아니요
RoHS 프탈레이트 준수:아니요
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002747