페이지 인쇄
FDS2070N3
MOSFET, N, SMD, FLMP, SO-8
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS2070N3
주문 코드1495139
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id4.1A
Drain Source On State Resistance0.078ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation3mW
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
FDS2070N3의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.1A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.078ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005