페이지 인쇄
FDS5670
MOSFET, N SO-8 REEL 2500
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 재고 없음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS5670복사
주문 코드1562488
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
FDS5670의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
제품 개요
The FDS5670 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000216